Titulo:
Implementación de una cavidad SIW en tecnología LTCC con un substrato de alta permitividad en banda S-Implementation of an S Band SIW Cavity in LTCC Technology with a High Permittivity Substrate
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Sumario:
Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofrece la tecnología SIW tales como un factor de calidad elevado y su capacidad de integración con tecnologías planares, junto con la flexibilidad de diseño y la reducción de tamaño proporcionadas por la tecnología multicapa LTCC en un ambiente de alta permitividad. La topología presentada está encaminada a determinar el valor de la constante dieléctrica del substrato en la banda especificada, así como para verificar la precisión y capacidades de man... Ver más
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2016-11-24
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Ingenium Revista de la facultad de ingeniería - 2016
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Implementación de una cavidad SIW en tecnología LTCC con un substrato de alta permitividad en banda S-Implementation of an S Band SIW Cavity in LTCC Technology with a High Permittivity Substrate Implementación de una cavidad SIW en tecnología LTCC con un substrato de alta permitividad en banda S-Implementation of an S Band SIW Cavity in LTCC Technology with a High Permittivity Substrate Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofrece la tecnología SIW tales como un factor de calidad elevado y su capacidad de integración con tecnologías planares, junto con la flexibilidad de diseño y la reducción de tamaño proporcionadas por la tecnología multicapa LTCC en un ambiente de alta permitividad. La topología presentada está encaminada a determinar el valor de la constante dieléctrica del substrato en la banda especificada, así como para verificar la precisión y capacidades de manufactura de la empresa seleccionada para la fabricación de prototipos en tecnología LTCC. Guerrero E., Rubén Darío SIW LTCC permitividad cavidad 17 34 Núm. 34 , Año 2016 : INGENIUM Artículo de revista Journal article 2016-11-24T00:00:00Z 2016-11-24T00:00:00Z 2016-11-24 application/pdf Universidad San Buenaventura - USB (Colombia) Ingenium 0124-7492 https://revistas.usb.edu.co/index.php/Ingenium/article/view/2735 10.21500/01247492.2735 https://doi.org/10.21500/01247492.2735 spa https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ Ingenium Revista de la facultad de ingeniería - 2016 11 18 A. El Mostrah, B. Potelon, E. Rius, C. Quendo, J-F. Favennec, H. Leblond. “Comparative study of Two C-band SIW filter topologies for a space application”. European Microwave Conference (EuMC), n.° 42. 2012. pp.368-371. [2] D. Deslandes, K. Wu. “Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form”. IEEE Microwave Wireless Components Letters, n.° 11. 2001. pp. 68-70. [3] M. Bozzi, A. Georgiadis, K. Wu. “Review of substrate-integrated waveguide circuits”. IET Microwaves, Antennas & Propagation. Special Issue, n.° 5. 2010. pp. 909-920. [4] J. Xu, Z. N. Chen, X. Qing, W, Hong.”140-GHz Planar Broadband LTCC SIW Slot Antenna Array”. IEEE Transactions on Antennas and Propagation. n.° 60. 2012. pp.3025-3028. [5] H. M. Hizan, Z. Ambak, A. Ibrahim, M.Z.M. Yusoff. “Q-band millimeter-wave SIW filter using LTCC technology”. IEEE Asia- Pacific Conference on Applied Electromagnetics (APACE), pp.199-202, 2014. [6] H. Abuzaid, A. Doghri, K. Wu, A. Shamim. “SIW based multilayer transition and power divider in LTCC technology”. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IMS). 2013. pp.1-3. [7] R.E. Amaya, L. Ming, K. Hettak, J. Cornelius, Verber. “A broadband 3D vertical Microstrip to Stripline transition in LTCC using a quasi-coaxial structure for millimetre-wave SOP applications”. European Microwave Conference (EuMC). 2010. pp.109-112. [8] M. Lathi. Gravure offset printing for fabrication of electronic devices and integrated components in LTCC modules. Tesis de doctorado. Oulu. Facultad de Tecnología de la Universidad de Oulu, 2008. pp.23-25. [9] D. Deslandes, K. Wu. “Accurate modeling, wave mechanisms, and design considerations of a substrate integrated waveguide”, IEEE Microwave Theory and Techniques, n.° 54. 2006. pp. 2516-2526. [10] G. Boudouris, A. Kastler. Cavités électromagnétiques. Paris. 1.a edición. Editorial Dunod. 1971. pp. 83-86. https://revistas.usb.edu.co/index.php/Ingenium/article/download/2735/2395 info:eu-repo/semantics/article http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 info:eu-repo/semantics/openAccess http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 Text Publication |
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Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofrece la tecnología SIW tales como un factor de calidad elevado y su capacidad de integración con tecnologías planares, junto con la flexibilidad de diseño y la reducción de tamaño proporcionadas por la tecnología multicapa LTCC en un ambiente de alta permitividad. La topología presentada está encaminada a determinar el valor de la constante dieléctrica del substrato en la banda especificada, así como para verificar la precisión y capacidades de manufactura de la empresa seleccionada para la fabricación de prototipos en tecnología LTCC.
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