Titulo:

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
.

Sumario:

Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del... Ver más

Guardado en:

1794-1237

2463-0950

12

2016-05-16

85

94

Revista EIA - 2016

Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.

info:eu-repo/semantics/openAccess

http://purl.org/coar/access_right/c_abf2

id metarevistapublica_eia_revistaeia_10_article_966
record_format ojs
spelling POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.
Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
pozo cuántico
potencial de Morse
campo eléctrico
campo magnético
rectificación óptica no lineal.
12
2
Núm. 2 , Año 2016 : Edición especial Nanociencia y Nanotecnología 2
Artículo de revista
Journal article
2016-05-16 00:00:00
2016-05-16 00:00:00
2016-05-16
application/pdf
Fondo Editorial EIA - Universidad EIA
Revista EIA
1794-1237
2463-0950
https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/966
10.24050/reia.v12i2.966
https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966
spa
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
Revista EIA - 2016
Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.
85
94
https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/966/874
info:eu-repo/semantics/article
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1
http://purl.org/redcol/resource_type/ART
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
Text
Publication
institution UNIVERSIDAD EIA
thumbnail https://nuevo.metarevistas.org/UNIVERSIDADEIA/logo.png
country_str Colombia
collection Revista EIA
title POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
spellingShingle POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
pozo cuántico
potencial de Morse
campo eléctrico
campo magnético
rectificación óptica no lineal.
title_short POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
title_full POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
title_fullStr POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
title_full_unstemmed POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
title_sort potencial de morse como perfil de pozos cuánticos semiconductores
title_eng POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
description Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.
author Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
author_facet Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
topicspa_str_mv pozo cuántico
potencial de Morse
campo eléctrico
campo magnético
rectificación óptica no lineal.
topic pozo cuántico
potencial de Morse
campo eléctrico
campo magnético
rectificación óptica no lineal.
topic_facet pozo cuántico
potencial de Morse
campo eléctrico
campo magnético
rectificación óptica no lineal.
citationvolume 12
citationissue 2
citationedition Núm. 2 , Año 2016 : Edición especial Nanociencia y Nanotecnología 2
publisher Fondo Editorial EIA - Universidad EIA
ispartofjournal Revista EIA
source https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/966
language spa
format Article
rights https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
Revista EIA - 2016
Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
type_driver info:eu-repo/semantics/article
type_coar http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
type_version info:eu-repo/semantics/publishedVersion
type_coarversion http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
type_content Text
publishDate 2016-05-16
date_accessioned 2016-05-16 00:00:00
date_available 2016-05-16 00:00:00
url https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/966
url_doi https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966
issn 1794-1237
eissn 2463-0950
doi 10.24050/reia.v12i2.966
citationstartpage 85
citationendpage 94
url2_str_mv https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/966/874
_version_ 1811200512227278848